छिद्रपूर्ण ग्रेफाइट

छिद्रयुक्त ग्रेफाइट मुख्यतया PVT (भौतिक वाष्प स्थानान्तरण) सिलिकन कार्बाइड (SiC) एकल क्रिस्टल वृद्धि प्रक्रियामा प्रयोग गरिन्छ, यो उच्च तापक्रम थर्मल क्षेत्र प्रणालीको मुख्य सामग्री हो। यो उत्पादन अति-उच्च शुद्धता आइसोस्टेटिक रूपमा प्रेस गरिएको ग्रेफाइटबाट बनेको छ, जसले परिशुद्धता CNC मेसिनिंग र छिद्र नियन्त्रण प्रविधि मार्फत एक समान र नियन्त्रणयोग्य छिद्रयुक्त संरचना बनाउँछ, चरम प्रक्रिया अवस्थाहरू (२२००℃) अन्तर्गत उत्कृष्ट प्रदर्शन सुनिश्चित गर्दछ। यसको अद्वितीय डिजाइनले थर्मल क्षेत्र एकरूपतामा उल्लेखनीय रूपमा सुधार गर्दछ र ग्यास चरण स्थानान्तरण दक्षतालाई अनुकूलन गर्दछ, जुन उच्च-गुणस्तरको SiC क्रिस्टल वृद्धिको लागि एक प्रमुख ग्यारेन्टी हो।

मुख्य विशेषताहरू र प्रक्रिया फाइदाहरू:

अत्यधिक शुद्धता र कम दोष दर

भ्याकुम उच्च-तापमान शुद्धीकरण प्रक्रिया (३०००℃ उपचार) अक्सिजन र नाइट्रोजन जस्ता गैर-धातु अशुद्धताहरूको सामग्रीलाई अझ कम गर्न प्रयोग गरिन्छ। SiC एकल क्रिस्टलहरूको विद्युतीय कार्यसम्पादन स्थिरता सुनिश्चित गर्न अशुद्धता प्रेरित क्रिस्टल दोषहरू (जस्तै माइक्रोट्यूब्युलहरू, विस्थापनहरू) हटाउनुहोस्।

अति उच्च तापक्रम स्थिरता र थर्मल क्षेत्र नियन्त्रण

आर्गन/भ्याकुम वातावरणमा, यसले १००० घण्टाभन्दा बढी समयसम्म २२०० डिग्री सेल्सियस निरन्तर सञ्चालन, थर्मल विस्तारको कम गुणांक, र थर्मल तनावको कारणले हुने सामग्री क्र्याकिंगबाट बच्न सक्छ।

पोरोसिटीले ग्रेडियन्ट वितरण डिजाइनलाई समर्थन गर्दछ, CFD सिमुलेशनसँग मिलाएर पोर साइज (१०-२००μm) लाई अनुकूलन गर्दछ, थर्मल फिल्ड वितरणलाई सही रूपमा नियमन गर्दछ, तापक्रम ग्रेडियन्ट उतारचढाव कम गर्दछ (±३℃ भित्र), र क्रिस्टल वृद्धि एकरूपता सुधार गर्दछ।

अनुकूलित समाधानहरू

ज्यामितीय अनुकूलन: ग्राहक भट्टी संरचनासँग मिल्दो जटिल आकार प्रशोधन (जस्तै कुण्डलीय क्रुसिबल, बहु-तह ढाल) लाई समर्थन गर्नुहोस्।

सतह उपचार: जंग प्रतिरोध र सेवा जीवन बढाउन अल्ट्रा-परिशुद्धता पालिसिङ वा कोटिंग सेवाहरू प्रदान गर्नुहोस्।

आवेदन कार्यसम्पादन प्रमाणीकरण

PVT SiC क्रिस्टलाइजेसन प्रक्रियामा, क्रुसिबल र थर्मल फिल्ड कम्पोनेन्टको रूपमा:

क्रिस्टल वृद्धि दर १५%-२०% ले बढाउनुहोस् (परम्परागत ग्रेफाइटको तुलनामा);

वेफर उपज ९०% भन्दा बढी (४ इन्च SiC सिंगल क्रिस्टल) मा बढ्यो;

उपकरणको मर्मत अवधि ६ महिना (सामान्यतया ३ महिना) सम्म बढाइएको छ।

द्रुत विस्तार:

१. अन्य नामहरू: PVT ग्रेफाइट क्रुसिबल, छिद्रपूर्ण ग्रेफाइट सहितको सिलिकन कार्बाइड वृद्धि।

२. प्रयोग: PVT विधि (भौतिक ग्यास यातायात विधि) SiC एकल क्रिस्टल वृद्धि कोर थर्मल क्षेत्र घटक।

३. मुख्य प्यारामिटरहरू: शुद्धता ≥९९.९९९५%, छिद्रता १५-३०%, तापक्रम प्रतिरोध २२००℃ (अक्रिय ग्यास वातावरण), तापीय चालकता १००-१५० वाट/मीटर·के।

PVT ग्रोथ फर्नेस एसेम्बली: SiC मटेरियल सबलिमेशन र क्रिस्टल ग्रोथको भागको रूपमा, स्थिर थर्मल फिल्ड वितरण प्रदान गर्दछ।

थर्मल फिल्ड शिल्डिङ कम्पोनेन्ट: छिद्रपूर्ण संरचनाले प्रभावकारी रूपमा थर्मल तनाव कम गर्छ र उपकरणको सेवा जीवन लम्ब्याउँछ।

बीज क्रिस्टल कोष्ठक: बीज क्रिस्टललाई समर्थन गर्न, क्रिस्टलको दिशात्मक वृद्धि सुनिश्चित गर्न उच्च यान्त्रिक शक्ति।

ग्यास प्रसार तह: ग्यास चरण स्थानान्तरण दक्षता अनुकूलन गर्नुहोस्, एकल क्रिस्टल गुणस्तर र वृद्धि दर सुधार गर्नुहोस्।

अति-उच्च तापक्रम प्रदर्शन: २२०० ℃ मा कुनै नरम विकृति छैन, १००० घण्टा भन्दा बढी निरन्तर स्थिर सञ्चालनलाई समर्थन गर्दछ।

अनुकूलित थर्मल फिल्ड डिजाइन: पोर ग्रेडियन्टलाई अनुकूलन गर्न, क्रिस्टल एकरूपता र उपज सुधार गर्न CFD सिमुलेशनसँग संयुक्त।

द्रुत पुनरावृत्ति सेवा: प्रक्रिया प्यारामिटर मिल्दो परीक्षण प्रदान गर्नुहोस् र ७२ घण्टा भित्र प्रोटोटाइप समाधान प्रदान गर्नुहोस्।